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PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

产品特点：

●   高电压达3500V

●   大电流达2000A

●   nA级漏电流μΩ级导通电阻

●   高精度测量0.1%

●   模块化配置，可添加或升级测量单元，可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试

●   测试效率高，自动切换、一键测试

●   温度范围广，支持常温、高温测试

●   兼容多种封装，根据测试需求定制夹具

测试项目

●   二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线

●   三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

●   Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、转移特性曲线、C-V特性曲线

●   光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、电流传输比CTR、隔离电容CIO

系统优势

1、IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量，施加应力时间长，温度迅速上升，严重时会使器件损坏，且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms，在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热。

2、高压下漏电流的测试能力无与伦比，测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示，小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA，而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例：3300V，125℃测试条件下ICES典型值14mA，最大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以完美应对所有类型器件的漏电流测试需求。

3、此外，VCE(sat)测试是表征 IGBT 导通功耗的主要参数，对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源，脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热，同时设备需要有同步采样电压功能。

IGBT静态测试系统大电流模块：50us—500us 的可调电流脉宽，上升边沿在 15us(典型值)，减少待测物在测试过程中的发热，使测试结果更加准确。下图为 1000A 波形：

4、快速灵活的客制化夹具解决方案：强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何，普赛斯均可以快速响应用户需求，提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试。